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二氧化碲（TeO2）可为p型半导体？ – 材料牛 由于Te 5s轨道能级较深

Te 5s轨道太深，氧化

 

二、半导即使通过外掺杂，体材不能有效地与O 2p轨道杂化，料牛不论化学条件和生长温度如何，氧化不能有效地与O 2p轨道杂化。半导揭示了TeO₂的体材本征绝缘性以及p型掺杂的困难性（掺杂难，

 

三、料牛表现出恒定的氧化绝缘特性。否定了TeO₂作为p型透明半导体的半导潜力，根据经验性的体材掺杂极限法则，平衡费米能级始终位于带隙中间区域，料牛成了领域内亟需澄清的氧化科学问题。“为学患无疑，半导应该时常批判性地阅读文献，体材【数据概览】

  

图1  TeO₂多形体的晶体结构和能带结构。由于Te 5s轨道能级较深，【导读】

p型透明氧化物半导体在半导体行业中的重要性不言而喻。对于我们熟知的TeO₂多形体（α相、因此，以绝缘性为人所知的TeO₂在多篇论文中被当作p型半导体报道，当导带底低于-4 eV时，他们发现，疑则有进。表现出绝缘的电学特性。

一、因此TeO₂的价带顶又深又局域，因此，

图3  β-TeO₂块体（a）和单层（b）中本征缺陷的转变能级。近年来，此外，缺乏浅施主和浅受主，也无法使TeO₂成为p型半导体。避免不必要的科研投入。也造成了极大的困惑。Zavabeti等人在二维b-TeO₂样品中观察到的p型半导体行为是源于TeO₂自身还是源于其他杂相，价带顶低于-6 eV，

 

五、TeO₂不论以何种形式（α相、【核心创新点】

基于掺杂极限法则，β相、容易掺成p型。对TeO₂可否成为p型半导体这一科学问题进行了研究。超出了p型掺杂极限。

常言道，Zavabeti等人在二维b-TeO₂样品中观察到的p型半导体行为不是TeO₂的内禀性质，难以产生有效的n型和p型掺杂。无异于通常的氧化物。表现出绝缘特性。意味着其n型掺杂和p型掺杂都很困难，其价带顶都较深，但竟无人质疑其结论的正确性。不论是块体还是单层，更要“小心求证”。几乎不与O 2p轨道杂化，对TeO₂中的缺陷计算表明，并利用第一性原理计算，维护了已有的掺杂理论和化学趋势。”科研人员不需要迷信“权威专家”和“权威期刊”，注意，引起了极大的关注，Te 5s轨道能级非常深，β相和g相），其报道的费米能级位于价带顶之上0.9 eV处。平衡费米能级位于带隙中间区域，而Se单质、华中科技大学肖泽文教授联合宁波东方理工大学（暂名）魏苏淮教授、例如，因此，根据《半导体物理》基本知识，而极可能源于其他杂相。【成果掠影】

最近，更重要的是，所有本征缺陷的转变能级都在带隙中，使科研人员更好地认识TeO₂，在科研中工作要“大胆假设”，与其报道的高空穴浓度相互矛盾。容易掺成n型；当价带顶高于-6 eV时，

图2  TeO₂多形体和相关氧化物的能带排列。TeO₂多形体的导带底高于-4 eV，Te单质及其合金本身就是高迁移率p型半导体。无法产生可观的载流子浓度，d）条件下的形成能。

图4  β-TeO₂块体（a,b）和单层（c,d）中本征缺陷在富Te（a,c）和富O（b，从而贡献价带顶。

 

原文详情：

Chin. Phys. Lett. 42, 016103 (2025)

DOI：10.1088/0256-307X/42/1/016103

 

https://cpl.iphy.ac.cn/en/article/doi/10.1088/0256-307X/42/1/016103

https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/42/1/016103

 

本文由肖泽文供稿

g相或二维纳米层）存在，不论生长条件如何，然而，TeO₂本身也极易还原为Te，其样品中残留着Se，肖泽文等人批判性地看待了TeO₂可否成为p型半导体这一科学问题，澄清了TeO₂固有的绝缘特性和p型掺杂的不可能性。该费米能级位置意味着零空穴浓度和绝缘特性，【成果启示】

Zavabeti等人的工作在Nat. Electron. 4 277 (2021) 发表三年有余，难于上青天），邱晨博士和东京科学大学（原名：东京工业大学）细野秀雄（Hideo Hosono）教授，墨尔本大学Zavabeti等人将二维b-TeO₂报道为高迁移率p型透明半导体 [Nat. Electron. 4 277 (2021)]。

 

四、尽管后续工作多有与其矛盾之处，

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